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速度200M/s 美光量产34纳米工艺芯片

美光公司近日宣布,他们已经开始应用34nm新制程,批量生产16Gb和32Gb容量的MLC NAND闪存颗粒。
美光34纳米MLC闪存芯片
  新工艺最明显的优势就在于芯片面积的缩小,以及随之带来的成本下降。美光表示,34nm 16Gb MLC NAND颗粒的面积仅有84平方毫米,而32Gb版本则比美光的第一代32Gb芯片面积小17%。新的34nm 16Gb/32Gb MLC颗粒均支持ONFI 2.1接口,最高传输速度可到200MB/s。相比之下,传统的SLC颗粒也不过40MB/s。因此,这样的新颗粒再搭配多路读写技术,制造出的固态硬盘将直指SATA3Gbps甚至SATA 6Gbps标准的速度极限。

美光34纳米MLC闪存芯片晶圆
  另外,美光旗下的存储卡企业Lexar公司也同时宣布,已经将34nm工艺闪存应用在自己的Platinum II系列32GB SDHC卡,以及16GB MicroSDHC卡中。而到今年9月底,Lexar的全系列SD/SDHC/MicroSDHC/CF/MS/M2存储卡和JumpDrive系列闪盘都将使用34nm工艺闪存。

 

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